RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
43
Autour de -139% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
18
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
3536
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link