RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
51
Autour de -82% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.1
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3848
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link