RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Comparez
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Note globale
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Note globale
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,107.0
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
58
Autour de -61% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,025.3
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,107.0
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
670
2981
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link