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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
58
En -61% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2981
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
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