RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
57
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.6
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
48
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
2466
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link