RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
51
Autour de -113% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
24
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2946
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link