RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2946
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link