RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Comparez
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Note globale
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Note globale
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de 18% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2418
3595
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link