RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Comparez
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Note globale
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
34
Autour de 21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2418
2319
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link