RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Comparez
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Note globale
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Note globale
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2418
3660
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link