RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Comparez
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Note globale
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Note globale
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2402
2663
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Kingston Kingston2GB800 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology 53627xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link