RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Comparez
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Note globale
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
32
Autour de 44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
18
32
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2926
3579
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link