RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
32
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
13.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
32
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2926
3579
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link