RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 32
    Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.8 left arrow 16.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    15.4 left arrow 11.8
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    27 left arrow 32
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.7 left arrow 16.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    11.8 left arrow 15.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2756 left arrow 3579

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM

Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Porównanie pamięci RAM

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Pamięć RAM
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Pamięć RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Pamięć RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Pamięć RAM
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Pamięć RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Pamięć RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Pamięć RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Pamięć RAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Pamięć RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Pamięć RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Pamięć RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Pamięć RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Pamięć RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Pamięć RAM