RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
17.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
14.7
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3705
3579
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link