RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Comparez
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Note globale
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
35
Autour de 49% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
18
35
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2926
2126
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
INTENSO 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link