RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
42
Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
42
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
2181
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link