RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
42
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
42
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2181
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link