RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
3673
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link