RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.5
Скорость записи, Гб/сек
11.0
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
3673
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link