RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23.7
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
23.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
4124
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link