RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23.7
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
23.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
4124
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link