RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23.7
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
23.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
4124
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology EXTREME DDR2 800+ 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link