RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Comparez
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Note globale
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
27
Autour de 33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
18
27
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2926
2436
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link