RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
62
Autour de 63% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
62
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
1586
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link