RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
62
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
62
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
1586
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link