RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Comparez
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Note globale
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
23
Autour de 22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
13.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
18
23
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2926
3004
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link