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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Compara
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
23
En 22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
17.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
13.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
23
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2926
3004
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
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Kingston 9905630-033.A00G 16GB
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