RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Comparez
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Note globale
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
24
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
19
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2222
3220
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link