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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Comparez
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Note globale
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Note globale
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
71
Autour de 45% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
13
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
71
Vitesse de lecture, GB/s
13.0
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2201
1650
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB Comparaison des RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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