RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Comparez
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Note globale
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
75
Autour de 53% latence réduite
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.1
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
75
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
6.5
7.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1994
1763
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link