RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Comparez
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Note globale
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
59
Autour de -157% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
1,855.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,168.0
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,855.7
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
680
2637
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link