RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
44
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
33
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
2498
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link