RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
77
Autour de -305% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3110
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link