RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Comparez
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Note globale
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
73
Autour de -217% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
4.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
23
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
4.7
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1021
3091
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link