RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
33
Autour de -27% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
26
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2359
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link