Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.6 14.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.0 8.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 19200

Около 1.33% выше полоса пропускания

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 33

Около -27% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 26
Скорость чтения, Гб/сек

17.6 14.1
Скорость записи, Гб/сек

12.0 8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 19200

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2910 2359

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Kingston X5H5PW-MIE 8GB

Kingston X5H5PW-MIE 8GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A

G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB

модули RAM

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB

Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB

модули RAM