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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 -27% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
26
读取速度,GB/s
17.6
14.1
写入速度,GB/s
12.0
8.8
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2359
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
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