RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Comparez
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Note globale
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Note globale
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
59
73
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
4.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
8500
Autour de 3.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
59
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
4.7
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
25600
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1021
2181
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link