RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
38
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
38
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
2316
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link