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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Comparez
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Note globale
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Note globale
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
73
100
Autour de 27% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
4.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
100
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
4.7
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1021
1479
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
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