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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
73
100
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
100
读取速度,GB/s
6.1
15.2
写入速度,GB/s
4.7
8.1
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
1479
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
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