RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Comparez
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
38
Autour de -58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2144
2925
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link