RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Comparez
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Note globale
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de -7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.1
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2792
3601
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link