RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Comparar
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
11.1
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
28
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.1
15.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2792
3601
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link