RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Comparez
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Note globale
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
31
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
31
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.1
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2792
2762
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5471-058.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link