RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Comparez
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Note globale
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
42
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
31
Vitesse de lecture, GB/s
6.4
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1632
3318
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link