RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Confronto
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
42
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
6.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
6.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
31
Velocità di lettura, GB/s
6.4
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.7
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1632
3318
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link