RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Comparez
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Note globale
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2196
2481
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link