RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Comparar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
11.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2196
2481
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Inmos + 256MB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link