RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Comparez
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Note globale
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Note globale
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de 18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
5.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2196
1806
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link